GlobalFoundries und RAAAM haben den Tape-out eines Gain-Cell-RAM-Testchips gemeldet. Die Firmen wollen damit On-Chip-Speicher gegenüber üblichem SRAM um 40 Prozent verkleinern und seinen Stromverbrauch um bis zu 60 Prozent senken.
Warum On-Chip-Speicher bremst
KI-Beschleuniger, Fahrzeugchips und IoT-Prozessoren benötigen große lokale Speicher. SRAM ist schnell, beansprucht aber viel Fläche. GCRAM soll mehr Daten auf derselben Chipfläche halten und Energie sparen. Der Testaufbau nutzt GlobalFoundries' FDX-Plattform mit FD-SOI-Technik.
Der Tape-out bedeutet, dass das Design für die Fertigung abgeschlossen wurde. Er belegt noch nicht, dass produzierte Chips die Zielwerte erreichen. GlobalFoundries und RAAAM wollen die Technik nun gemeinsam qualifizieren. Erste Kunden sollen Anfang 2027 Zugang zum Design erhalten.
Die Messwerte entscheiden
Einordnung: Die Werte von 40 und 60 Prozent sind Herstellerangaben ohne veröffentlichte unabhängige Prüfung. Angaben zu Kapazität, Geschwindigkeit, Datenhaltung, zusätzlichem Refresh-Aufwand und Fertigungsausbeute fehlen. Genau diese Größen entscheiden, ob GCRAM SRAM breit ersetzen oder nur in ausgewählten Speicherblöcken ergänzen kann. Der Tape-out ist ein wichtiger Entwicklungsschritt; ein marktreifer Speicher ist er noch nicht.