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ASML und Samsung planen 12-Zoll-Masken: High-NA EUV soll 2028 in die DRAM-Massenfertigung

Veröffentlicht Pandorex Redaktion·4 min Lesezeit
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Kurzfassung: Samsung steigt in ASMLs Initiative für 12-Zoll-Photomasken ein und plant High-NA EUV ab 2028 für die DRAM-Massenfertigung. Der größere Maskenstandard soll eine zentrale Begrenzung der neuen Lithografie entschärfen. Parallel nennen auch SK Hynix und TSMC konkrete High-NA-Zeithorizonte.

Die Halbleiterindustrie arbeitet seit Jahrzehnten überwiegend mit 6-Zoll-Photomasken. Bei High-NA EUV wird dieses Format zum Problem: Die feinere Optik kann kleinere Strukturen belichten, hat aber ein kleineres Belichtungsfeld. Größere 12-Zoll-Masken sollen nach Angaben von Samsung und ASML mehr nutzbare Fläche ermöglichen, Stitching reduzieren und die Produktivität verbessern.

2028 wird zum ersten wichtigen Zieljahr

Samsung will High-NA EUV 2028 erstmals in der DRAM-Serienfertigung einsetzen. Reuters berichtet, dass SK Hynix ebenfalls 2028 für High-NA-Prozesse in der DRAM-Massenproduktion anpeilt und eine Teilnahme an der 12-Zoll-Maskeninitiative prüft. TSMC nennt für fortgeschrittene Logikprozesse dagegen 2030 als Ziel für High-NA in hoher Stückzahl.

Intel nutzt die jüngste ASML-Generation bereits in der Fertigung, während Samsung und TSMC High-NA noch nicht in der Massenproduktion einsetzen. Das zeigt: Die Technik ist real, aber der branchenweite Übergang ist noch nicht abgeschlossen.

Pandorex Analyse

Der wichtigere Punkt ist nicht die einzelne Samsung-Ankündigung, sondern dass sich gleichzeitig Maskengröße, Lithografiewerkzeug und Produktionsfahrpläne bewegen. High-NA kann nur dann breit wirtschaftlich werden, wenn auch Masken, Messtechnik, Prozessschritte und Fabrikabläufe mitziehen. Der Wechsel nach Jahrzehnten mit 6-Zoll-Masken ist deshalb ein Infrastrukturprojekt für die gesamte Fertigungskette, nicht nur ein neues ASML-Gerät.

Für große KI-Chips ist das besonders relevant. Heutige Beschleuniger reizen die maximal belichtbare Fläche konventioneller EUV-Systeme bereits weit aus. Reuters zufolge soll der größere Maskenstandard High-NA ermöglichen, Chips in vergleichbaren Größenordnungen zu fertigen, ohne die Einschränkung des kleineren Belichtungsfelds unverändert mitzunehmen.

Bestätigt sind Samsungs Teilnahme an der Initiative und der 2028-Plan für DRAM. Noch offen sind Kosten, finaler Industriestandard und die Geschwindigkeit, mit der andere Hersteller die 12-Zoll-Maske tatsächlich übernehmen. Auch die erwarteten Produktivitätsgewinne stammen derzeit vor allem von den beteiligten Unternehmen und müssen sich in der Serienfertigung beweisen.

Quellen und Nachweise

Quellen für die Fakten und den Kontext dieses Artikels.

  1. Samsung Electronics, 08.09.2026: Samsung Electronics and ASML Expand Strategic Collaboration for Next-Generation Semiconductor Manufacturingnews.samsung.com
  2. Reuters, 08.09.2026: ASML to work with major chipmakers to use latest tools for larger chipsreuters.com

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